電子工業(yè)經(jīng)歷了由電子管、半導(dǎo)體集成電路及超大規(guī)模集成電路的發(fā)展歷程，對(duì)人類(lèi)社會(huì)的各個(gè)方面帶來(lái)革命性的沖擊。在集成電路的制程中，各類(lèi)元件如二極管、三極管、電阻器及電容器等均是在硅片上形成，這些器件需要用導(dǎo)線(電極)連接起來(lái)或用絕緣材料隔開(kāi)。用于導(dǎo)線或電極的材料有如下要求：低電阻、低電遷移性、對(duì)硅基體有好的附著性、易鍵合和易形成膜等。金的優(yōu)良性能正好能滿足上述要求。在電子行業(yè)中用于引線、靶材及焊料的金或金合金的原材料中，如果用99.999％(質(zhì)量分?jǐn)?shù)，下同)的金代替99.99％的金則會(huì)使材料的可焊性、半導(dǎo)體特性及穩(wěn)定性等有很大的改善。高純金濺射靶材作為電子工業(yè)領(lǐng)域各類(lèi)芯片及集成電路中電極薄膜層制備的關(guān)鍵源材料，當(dāng)電子芯片持續(xù)向輕、薄、短、小及高密度方向發(fā)展時(shí)，對(duì)缺陷的容忍度也相對(duì)降低，隨著集成電路器件密集度的提高，單位芯片的面積也越來(lái)越小，原本不會(huì)影響良率的缺陷變成了良率的致命殺手，因此，對(duì)高純金靶材的純度、晶粒尺寸及均勻性、微觀組織結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性等均提出了更高的要求。
本文對(duì)電子行業(yè)用高純金靶材的原料雜質(zhì)元素控制技術(shù)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、微結(jié)構(gòu)調(diào)控及綁定技術(shù)等的研究現(xiàn)狀進(jìn)行綜述，并提出高純金靶材行業(yè)所面臨的問(wèn)題和今后的研究方向。
1、高純金的提純技術(shù)
高純金(質(zhì)量分?jǐn)?shù)≥99．999％，簡(jiǎn)稱(chēng)5N)的提純技術(shù)源于電子、航空航天、半導(dǎo)體集成電路等行業(yè)的快速發(fā)展對(duì)鍵合絲材、內(nèi)引線材料、靶材及焊合材料等導(dǎo)電、導(dǎo)熱及抗腐蝕性能及穩(wěn)定性的要求。本文所述的高純金的提純技術(shù)主要是指以粗金(金含量在90％以上)及低純度金(99％～99．99％)為原料通過(guò)物理或化學(xué)的方法獲取純度在99．999％以上的 金原料，不包括從金礦或金廢料中提取金的技術(shù)。高純金提純技術(shù)文獻(xiàn)報(bào)道較多，本文不一一列舉。高純金的提純技術(shù)主要包括化學(xué)還原法、溶劑萃取法以及電解法，3種方法各有利弊。行業(yè)普遍認(rèn)為電解法因其具有產(chǎn)品純度穩(wěn)定、易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)、制備過(guò)程污染小等優(yōu)點(diǎn)，會(huì)成為今后重要的發(fā)展方向。
2009年我國(guó)發(fā)布了《金靶材》的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，2010年又發(fā)布了《高純金》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，二者對(duì)比如表1所列。
由表1可見(jiàn)，5N金靶材標(biāo)準(zhǔn)與5N高純金標(biāo)準(zhǔn)在雜質(zhì)元素?cái)?shù)量及限量有一定的差別。但根據(jù)2013年工信部發(fā)布的《電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南》，電子薄膜行業(yè)特別是集成電路領(lǐng)域?qū)怏w元素(C、S、O、N、H等)及放射性元素(U、111等)都進(jìn)行了明確的規(guī)定，此外，電子薄膜領(lǐng)域?qū)Ω呒兘鸢胁闹袎A金屬(Na、K等)也有嚴(yán)格要求。但由于現(xiàn)有《金靶材》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電子薄膜領(lǐng)域用5N金靶材雜質(zhì)元素的要求偏低或者不夠全面，容易誤導(dǎo)行業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)不對(duì)上述氣體元素、堿金屬和放射性元素進(jìn)行控制，這一誤解可能影響我國(guó)高純金靶材在高端集成電路領(lǐng)域的推廣和應(yīng)用。
基于上述分析，本文作者呼吁行業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)、學(xué)者加緊落實(shí)對(duì)電子薄膜領(lǐng)域用5N高純金及金靶材標(biāo)準(zhǔn)的制訂或修訂，指導(dǎo)行業(yè)內(nèi)科研單位、企業(yè)在發(fā)展高純金提純技術(shù)和高純金靶制備工藝的過(guò)程中規(guī)范相關(guān)雜質(zhì)元素的控制。
2、 高純金靶的制備工藝技術(shù)
高純金靶的制備與傳統(tǒng)的金加工工藝基本一致，即選用4N或5N等高純金原料，通過(guò)熔鑄、塑性加工及熱處理相結(jié)合的方式制備靶材坯料，隨后經(jīng)過(guò)精密機(jī)械加工及綁定Bonding)等工藝獲得客戶(hù)需要的金濺射靶材。但與常規(guī)的金制品不同的是，靶材除了對(duì)純度有要求外，對(duì)組織結(jié)構(gòu)均勻性、一致性和批次穩(wěn)定性都有極高的要求。
2.1高純金靶的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
在電子薄膜領(lǐng)域，金薄膜主要通過(guò)磁控濺射工藝獲得，金靶材的濺射原理如圖1所示。
金靶材作為陰極，電子在加速電壓的作用下與濺射腔體中的氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar+和電子。電子飛向基片，At*在電場(chǎng)作用下加速轟擊金靶材，濺射出大量的金原子，呈中性的金原子沉積在基片上成膜。在濺射過(guò)程中，由于磁場(chǎng)的存在，電子受磁場(chǎng)洛倫茲力的作用，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并在磁場(chǎng)作用下圍繞靶面做圓周 運(yùn)動(dòng)。陰極磁場(chǎng)與靶材磁場(chǎng)的綜合作用決定了靶材被濺射的區(qū)域與路徑。金在7.8～975K的溫度范圍內(nèi)磁化率僅為(-0.141～0.143)×10-6cm3/g，且具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和良好的高溫抗氧化性能。因此，在常規(guī)的濺射過(guò)程中沒(méi)有磁性，金靶材的濺射區(qū)域與路徑只與磁控濺射設(shè)備陰極磁場(chǎng)有關(guān)。
為了降低成本、節(jié)約金的用量，金靶材的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要依據(jù)磁控濺射設(shè)備陰極的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)，靶材形狀須與所用濺射設(shè)備匹配。半導(dǎo)體領(lǐng)域4~12英寸晶圓用的磁控濺射設(shè)備主要包括Varian XM 90；Quantum；PE 4410、4450；Anelva 1051，A～Ⅸr：Endura，Blazer；MRC．Upsilon等。由于靶材在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中所占的成本不超過(guò)3％，濺射設(shè)備的制造商不會(huì)專(zhuān)門(mén)針對(duì)金靶材來(lái)設(shè)計(jì)陰極，設(shè)備陰極不會(huì)專(zhuān)門(mén)用于金靶材的濺射。靶材供應(yīng)商為了提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，根據(jù)客戶(hù)濺射設(shè)備陰極磁場(chǎng)進(jìn)行不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，常見(jiàn)金靶材主要以圓靶、平面靶材和異形靶材為主，如圖2所示。
為了提高靶材的利用率，國(guó)內(nèi)外都在推廣可圍繞固定的條狀磁鐵組件旋轉(zhuǎn)的空心圓管型濺射靶材，此種靶材靶面360。都可被均勻刻蝕，利用率可由通常的20％～30％提高到75％~80％。
2.2高純金靶的微結(jié)構(gòu)調(diào)控技術(shù)
金是延展性最好的金屬：通過(guò)鍛造和軋制，不需任何中間退火，可將金制作成厚50～100nm的箔材。其延伸率約18.6萬(wàn)倍，換算成壓縮率為99.9996％。金作為典型的面心立方結(jié)構(gòu)，且堆垛層錯(cuò)能比銀和鎳等面心立方金屬更低，卻具有如此優(yōu)異的延展性，主要是由于其具有非常好的抗氧化性能。金在塑性變形過(guò)程中形成的位錯(cuò)很容易從金屬表面消失，而其他金屬由于表面氧化膜的存在將位錯(cuò)維持在了金屬內(nèi)部，在大應(yīng)變條件下變形只能通過(guò)亞晶切邊來(lái)調(diào)節(jié)。金的再結(jié)晶溫度與其純度和變形量有關(guān)，圖3所示為金的純度和變形程度(試樣原始厚度h0和最終厚度h的比值)對(duì)其再結(jié)晶溫度的影響規(guī)律。
由圖3可見(jiàn)，在變形程度低于97％時(shí)，低純度金比高純度金有更高的再結(jié)晶溫度。當(dāng)變形程度超過(guò)97％時(shí)，低純金的再結(jié)晶溫度反而低于高純金，主要由低純金中雜質(zhì)元素的作用導(dǎo)致原始組織晶粒度不同所致。由于金的再結(jié)晶溫度較低，甚至在室溫下高變形度金都會(huì)發(fā)生回復(fù)軟化。
對(duì)于高純金的物理、力學(xué)(包括延展性、再結(jié)晶行為等)性能的研究已經(jīng)非常成熟，似乎沒(méi)有必要圍繞高純金塑性變形過(guò)程微結(jié)構(gòu)演變進(jìn)行系統(tǒng)研究。
本文認(rèn)為，隨著半導(dǎo)體集成電路中微器件的高密度化和制程的微尺寸化，對(duì)高純金靶材微結(jié)構(gòu)的缺陷、擇優(yōu)取向、均勻性和穩(wěn)定性都提出了更高的要求，特別是圍繞靶材微觀組織結(jié)構(gòu)差異與薄膜的關(guān)聯(lián)關(guān)系來(lái)開(kāi)展研究很有必要，然而相關(guān)的研究很少。
也有研究人員意識(shí)到，高純金鑄錠雖然不進(jìn)行中間退火處理也可以加工到最終形狀，但是不能控制靶材晶粒的粒徑，成為了成膜特性偏移的重要原因。同時(shí)提出了冷軋中間環(huán)節(jié)的兩次熱處理工藝，制備等軸晶靶材。貴研鉑業(yè)公司朱勇等采用電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)分析了冷態(tài)大塑性變形多向冷軋獲得的高純金靶不同區(qū)域的微觀組織、晶界取向差和織構(gòu)。研究表明：高純金靶材組織由細(xì)小的等軸晶組成，平均晶粒尺寸為192.5～206nm，樣品在軋制過(guò)程中發(fā)生再結(jié)晶，樣品所測(cè)得的織構(gòu)(110)平行于軋面，軋向不確定，為較弱的織構(gòu)，多向軋制大大消除了某一方向上的變形織構(gòu)。
2.3高純金靶綁定技術(shù)
靶材作為濺射工藝的陰極源材料，需要固定在濺射設(shè)備的陰極上，同時(shí)在濺射過(guò)程中需要導(dǎo)電，也會(huì)產(chǎn)生一定的熱量。因此，大多數(shù)的靶材都需要通過(guò)具有一定強(qiáng)度和良好散熱性的材料，如鋁、銅等作為背板起到強(qiáng)度支撐、導(dǎo)電、導(dǎo)熱的作用。靶材與背板的連接稱(chēng)為綁定(Bonding)，是濺射靶材制備技術(shù)中非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。綁定質(zhì)量直接影響濺射工藝和產(chǎn)品膜的質(zhì)量。靶材與背板連接的方式通常參考焊接的方法，與傳統(tǒng)焊接不同的是既要考慮復(fù)合界面的結(jié)合強(qiáng)度，又要保證靶材一側(cè)的微觀組織結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生較大的變化，目前通用的綁定技術(shù)有機(jī)械固定法、釬焊法、擴(kuò)散焊、電子束焊接法等。具體到金基合金靶材，目前采用較多的是釬焊法、鑲嵌復(fù)合法。
2.3.1釬焊法
目前，金基合金靶材的綁定技術(shù)主要選用銅基材料作為背板，選用銦、SnAg等作為釬焊材料。由于金與釬焊材料、釬料與銅背板之間良好的浸潤(rùn)性，金基靶材的釬焊技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單、成熟，成本低，易于實(shí)現(xiàn)，一般不存在浸潤(rùn)性差、焊合率低等現(xiàn)象。
同時(shí)，由于金和銅良好的導(dǎo)電性，在高功率、長(zhǎng)時(shí)間濺射時(shí)，熱量可以及時(shí)傳導(dǎo)出去，不存在靶材脫焊、焊料熔化等問(wèn)題。但是，當(dāng)過(guò)度濺射時(shí)，會(huì)導(dǎo)致焊料金屬被濺射，污染基片和腔體。對(duì)金基靶材而言，釬焊法存在的最大弊端是由于焊料與金的互擴(kuò)散，導(dǎo)致后階段產(chǎn)品濺射薄膜中易引入焊料金屬，既降低晶圓性能的穩(wěn)定性和一致性，又降低了靶材 的使用率。
2.3.2鑲嵌復(fù)合法
鑲嵌復(fù)合法采用機(jī)械的方法，運(yùn)用機(jī)械加工溝、槽等工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)靶材與背板的機(jī)械嵌套式復(fù)合。
該方法的優(yōu)點(diǎn)是不存在焊料的浸潤(rùn)污染，可極大地提高靶材利用率，但加工工藝相對(duì)復(fù)雜，對(duì)于金基靶材來(lái)說(shuō)，制造成本較高，不適用于5mm厚度以下的純金靶材。一是因?yàn)榧兘鸩馁|(zhì)較軟、偏薄，強(qiáng)度不足，難以保證與背板的結(jié)合強(qiáng)度；二是由于貴金屬價(jià)格高，加工形狀越復(fù)雜產(chǎn)生的損耗越大。因此，除非客戶(hù)機(jī)臺(tái)限制，一般不選擇該方法實(shí)現(xiàn)金 基靶材與背板的焊接。
2.3.3導(dǎo)電膠焊接法
導(dǎo)電膠焊接法是隨著高溫導(dǎo)電膠技術(shù)的發(fā)展而興起的。該技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單，無(wú)需考慮靶材與背板的熱膨脹區(qū)別，也不需要考慮靶材與焊料的浸潤(rùn)性，且在常溫下就可以進(jìn)行。由于不使用金屬焊料，不會(huì)對(duì)貴金屬靶材產(chǎn)生污染，熔鑄類(lèi)貴金屬殘靶可直接進(jìn)行二次回爐使用，大大降低了貴金屬回收及提純的損耗。需要說(shuō)明的是，導(dǎo)電膠焊接法所用導(dǎo)電膠主要由樹(shù)脂等高分子材料組成，整體靶材的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能有所降低。因此，為了改善綁定層的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，往往需要埋覆一層銅網(wǎng)或銀網(wǎng)，會(huì)增加綁定成本。
3、展望
電子薄膜領(lǐng)域用高純金靶材的制備涉及高純金的提純、金鑄錠雜質(zhì)控制、金靶材結(jié)構(gòu)、金靶材微結(jié)構(gòu)調(diào)控、金靶材的綁定焊接等等，是一個(gè)系統(tǒng)工程。需要國(guó)內(nèi)從事高純金提純及靶材研發(fā)生產(chǎn)機(jī)構(gòu)和不同專(zhuān)業(yè)科研工作者通力配合、統(tǒng)籌合作，實(shí)現(xiàn)各個(gè)環(huán)節(jié)和鏈條的緊密配合，才能有效保證最終高純金靶材性能的一致性和穩(wěn)定性，從而加速我國(guó)高端集成電路領(lǐng)域用高純金靶材的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，提升我國(guó)高純金濺射靶材國(guó)際國(guó)內(nèi)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。具體應(yīng)從如下幾個(gè)方面進(jìn)行努力：
1)相關(guān)行業(yè)管理機(jī)構(gòu)應(yīng)結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)水平，在廣泛征求下游客戶(hù)意見(jiàn)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步修訂、完善高純金原料及靶材的標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，將影響電子薄膜性能的堿金屬元素、放射性元素及氣體元素列入相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中，保證高純金靶材上下游行業(yè)的技術(shù)一致性和穩(wěn)定性。
2)在電解法高純金提純技術(shù)基礎(chǔ)上，綜合化學(xué)還原法和溶劑萃取法的優(yōu)缺點(diǎn)，根據(jù)金原料的來(lái)源，發(fā)展多元的綜合性高純金提純技術(shù)，特別需要在堿金屬元素和放射性元素控制上做進(jìn)一步研究。
3)針對(duì)集成電路向微型化、高集成化的發(fā)展趨勢(shì)，加強(qiáng)金薄膜與靶材結(jié)構(gòu)的關(guān)聯(lián)性研究工作，從優(yōu)化薄膜性能的角度來(lái)指導(dǎo)高純金靶材微結(jié)構(gòu)調(diào)控工藝技術(shù)。
4)進(jìn)一步拓展金靶材的綁定技術(shù)，從節(jié)約成本與提高靶材利用率的角度出發(fā)，發(fā)展導(dǎo)電膠焊接技術(shù)，在保證靶材與背板的結(jié)合強(qiáng)度的前提下，提高靶材利用率，實(shí)現(xiàn)殘靶的直接回爐重熔。
5)相關(guān)高純金靶材生產(chǎn)企業(yè)加強(qiáng)與磁控濺射設(shè)備企業(yè)的溝通與交流，從節(jié)約成本及精密加工簡(jiǎn)約性的角度出發(fā)，進(jìn)一步完善高純金靶材的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高自身的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
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